Microchip VN2406 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 240 V / 1 A 1 W, 3-Pin VN2406L-G TO-92

RS Best.-Nr.:: 264-8945
Herst. Teile-Nr.:: VN2406L-G
Marke:: Microchip

Microchip VN2406 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 240 V / 1 A 1 W, 3-Pin VN2406L-G TO-92

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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5 - 45	CHF.1.701	CHF.8.51
50 - 95	CHF.1.67	CHF.8.34
100 - 245	CHF.1.05	CHF.5.25
250 - 495	CHF.1.029	CHF.5.17
500 +	CHF.1.008	CHF.5.04

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 264-8945
Herst. Teile-Nr.:: VN2406L-G
Marke:: Microchip

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	240V
	Gehäusegröße	TO-92
	Serie	VN2406
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	6Ω
	Channel-Modus	MOSFET
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	1W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 240V
	Gehäusegröße TO-92
	Serie VN2406
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω
	Channel-Modus MOSFET
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 1W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - VN2406L-G

Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundären Störungen

Geringe Leistungsanforderung des Antriebs

Einfaches Parallelieren

Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Ausgezeichnete thermische Stabilität

Integrierte Source-Drain-Diode

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Microchip VN2406 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 240 V / 1 A 1 W, 3-Pin VN2406L-G TO-92

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