Microchip VP2110 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / -120 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 264-8950
Herst. Teile-Nr.:: VP2110K1-G
Marke:: Microchip

Microchip VP2110 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / -120 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: VP2110K1-G
Marke:: Microchip

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-120mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	VP2110
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	12Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	0.36W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	1.3 mm
	Länge	2.9mm
	Höhe	1.12mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -120mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie VP2110
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 12Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 0.36W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 1.3 mm
	Länge 2.9mm
	Höhe 1.12mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - VP2110K1-G

Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundären Störungen

Geringe Leistungsanforderung des Antriebs

Einfaches Parallelieren

Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Ausgezeichnete thermische Stabilität

Integrierte Source-to-Drain-Diode

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Microchip VP2110 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / -120 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23

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