Microchip Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 300 V / 250 mA 0.36 W, 3-Pin TN2130K1-G SOT-23

RS Best.-Nr.:: 264-8917
Herst. Teile-Nr.:: TN2130K1-G
Marke:: Microchip

Microchip Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 300 V / 250 mA 0.36 W, 3-Pin TN2130K1-G SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 264-8917
Herst. Teile-Nr.:: TN2130K1-G
Marke:: Microchip

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	250mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	300V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Channel-Modus	MOSFET
	Maximale Verlustleistung Pd	0.36W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 250mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 300V
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Channel-Modus MOSFET
	Maximale Verlustleistung Pd 0.36W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - TN2130K1-G

Der N-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert-Verbesserungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundären Störungen

Geringe Leistungsanforderung des Antriebs

Einfaches Parallelieren

Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Ausgezeichnete thermische Stabilität

Integrierte Source-Drain-Diode

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Microchip Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 300 V / 250 mA 0.36 W, 3-Pin TN2130K1-G SOT-23

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