Microchip VN2110 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 100 V / 0.6 A 0.36 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 264-8942
Herst. Teile-Nr.:: VN2110K1-G
Marke:: Microchip

Microchip VN2110 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 100 V / 0.6 A 0.36 W, 3-Pin SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: VN2110K1-G
Marke:: Microchip

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	0.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Serie	VN2110
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	6Ω
	Channel-Modus	MOSFET
	Maximale Verlustleistung Pd	0.36W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	2.9mm
	Breite	1.3 mm
	Höhe	1.12mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße SOT-23
	Serie VN2110
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω
	Channel-Modus MOSFET
	Maximale Verlustleistung Pd 0.36W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 2.9mm
	Breite 1.3 mm
	Höhe 1.12mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - VN2110K1-G

Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundären Störungen

Geringe Leistungsanforderung des Antriebs

Einfaches Parallelieren

Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Microchip VN2110 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 100 V / 0.6 A 0.36 W, 3-Pin SOT-23

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