Microchip VN2110 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 100 V / 0.6 A 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 264-8943
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2110K1-G
- Marke:
- Microchip
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.609 | CHF.6.05 |
| 50 - 90 | CHF.0.588 | CHF.5.92 |
| 100 - 240 | CHF.0.315 | CHF.3.20 |
| 250 - 990 | CHF.0.315 | CHF.3.15 |
| 1000 + | CHF.0.305 | CHF.3.08 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-8943
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2110K1-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | VN2110 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie VN2110 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Frei von sekundären Störungen
Geringe Leistungsanforderung des Antriebs
Einfaches Parallelieren
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
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