Infineon BSS139I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 250 V / 100 mA 0.36 W, 3-Pin BSS139IXTSA1 SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*

CHF.13.65

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 8’600 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 - 200CHF.0.273CHF.13.86
250 - 450CHF.0.189CHF.9.45
500 - 1200CHF.0.179CHF.8.87
1250 - 2450CHF.0.168CHF.8.30
2500 +CHF.0.095CHF.4.83

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
225-0563
Herst. Teile-Nr.:
BSS139IXTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

BSS139I

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.5Ω

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

0.36W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.3nC

Durchlassspannung Vf

0.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Länge

3.04mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon BSS139I ist ein kleines Signal, kleine Leistungs-N- und P-Kanal-MOSFETs bieten eine Vielzahl von VGS(th)-Pegeln und RDS(on)-Werten sowie mehrere Spannungsklassen. Dieser MOSFET verfügt über Anreicherungs- und Abarmungsmodus-Optionen.

Platz auf der Leiterplatte und Kosteneinsparungen

Torantriebsflexibilität

Geringere Designkomplexität

Umweltfreundlich

Hoher Gesamtwirkungsgrad

Verwandte Links