Infineon BSS139I N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 250 V / 100 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 225-0563
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS139IXTSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | CHF 0.131 | CHF 6.36 |
| 250 - 450 | CHF 0.081 | CHF 4.29 |
| 500 - 1200 | CHF 0.081 | CHF 4.04 |
| 1250 - 2450 | CHF 0.081 | CHF 3.79 |
| 2500 + | CHF 0.051 | CHF 2.68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-0563
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS139IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | BSS139I | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.5Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 200mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie BSS139I | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.5Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 200mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon BSS139I ist ein kleines Signal, kleine Leistungs-N- und P-Kanal-MOSFETs bieten eine Vielzahl von VGS(th)-Pegeln und RDS(on)-Werten sowie mehrere Spannungsklassen. Dieser MOSFET verfügt über Anreicherungs- und Abarmungsmodus-Optionen.
Platz auf der Leiterplatte und Kosteneinsparungen
Torantriebsflexibilität
Geringere Designkomplexität
Umweltfreundlich
Hoher Gesamtwirkungsgrad
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