ROHM RA1C030LD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3 A 1 W, 3-Pin SMM1006

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RS Best.-Nr.:
265-5426
Herst. Teile-Nr.:
RA1C030LDT5CL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

RA1C030LD

Gehäusegröße

SMM1006

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

140mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Source-spannung max Vgs

-0.2, 7V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Pb-free lead plating, RoHS

Automobilstandard

Nein

ROHMs MOSFETs mit niedrigem Durchlasswiderstand und hohem Leistungsvermögen eignen sich für Schaltkreise, Einzelzellenbatterieanwendungen und mobile Anwendungen. Das Produkt ist auf einer Cu-Platte montiert und ist halogenfrei.

Geringer Durchgangswiderstand

Kleines Gehäuse mit hoher Leistung

Pb-freie Bleibeschichtung

Halogenfrei

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