ROHM RA1C030LD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3 A 1 W, 3-Pin SMM1006

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
265-5426
Herst. Teile-Nr.:
RA1C030LDT5CL
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SMM1006

Serie

RA1C030LD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

140mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-0.2V, 7V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Pb-free lead plating, RoHS

Automobilstandard

Nein

ROHMs MOSFETs mit niedrigem Durchlasswiderstand und hohem Leistungsvermögen eignen sich für Schaltkreise, Einzelzellenbatterieanwendungen und mobile Anwendungen. Das Produkt ist auf einer Cu-Platte montiert und ist halogenfrei.

Geringer Durchgangswiderstand

Kleines Gehäuse mit hoher Leistung

Pb-freie Bleibeschichtung

Halogenfrei

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.