ROHM RV7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V 1.1 W, 3-Pin DFN1212-3
- RS Best.-Nr.:
- 265-382
- Herst. Teile-Nr.:
- RV7L020GNTCR1
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 265-382
- Herst. Teile-Nr.:
- RV7L020GNTCR1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | DFN1212-3 | |
| Serie | RV7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 157mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.2mm | |
| Höhe | 0.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße DFN1212-3 | ||
Serie RV7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 157mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.2mm | ||
Höhe 0.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM-MOSFET ist für Schalt- und Lastschaltanwendungen konzipiert. Untergebracht in einem bleifreien, ultrakleinen SMD-Kunststoffgehäuse von 1,2x1,2x0,5 mm mit einem freiliegenden Drain-Pad, bietet er eine hervorragende Wärmeleitung und gewährleistet eine effiziente Leistung in kompakten elektronischen Designs.
RoHS-Konformität
Geringer Widerstand
Pb-freie Bleibeschichtung
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