ROHM Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 250 mA 200 mW, 3-Pin TSMT-3
- RS Best.-Nr.:
- 178-649
- Herst. Teile-Nr.:
- RTU002P02T106
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 250mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSMT-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V, -12V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 850μm | |
| Breite | 1.6mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 250mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSMT-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V, -12V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 850μm | ||
Breite 1.6mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- JP
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
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