ROHM RQ1 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5 A 1.5 W, 8-Pin RQ1E050RPHZGTR TSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 264-430
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ1E050RPHZGTR
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 25 Stück)*
CHF.9.975
Auf Lager
- Zusätzlich 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | CHF.0.399 | CHF.10.08 |
| 100 - 225 | CHF.0.378 | CHF.9.56 |
| 250 - 475 | CHF.0.357 | CHF.8.87 |
| 500 - 975 | CHF.0.326 | CHF.8.17 |
| 1000 + | CHF.0.315 | CHF.7.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-430
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ1E050RPHZGTR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | RQ1 | |
| Gehäusegröße | TSMT-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 31mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie RQ1 | ||
Gehäusegröße TSMT-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 31mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM Kleinsignal-MOSFET für Schaltanwendungen ist ein hochzuverlässiges Produkt in Automobilqualität, das nach AEC-Q101 qualifiziert ist.
Niedriger Einschaltwiderstand
Eingebaute G-S-Schutzdiode
Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse TSMT8
Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform
Verwandte Links
- ROHM RQ1 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 7 A 1.5 W, 8-Pin RQ1A070ZPHZGTR TSMT-8
- ROHM RQ1 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7 A 1.5 W, 8-Pin RQ1E070RPHZGTR TSMT-8
- ROHM QS8 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin TSMT-8 QS8M51HZGTR
- ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT QH8JC5TCR
- ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT QH8JB5TCR
- ROHM QH8MC5 Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.5 A 1.5 W, 8-Pin QH8MC5TCR TSMT-8
- ROHM QH8MB5 Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 5 A 1.5 W, 8-Pin QH8MB5TCR TSMT-8
- ROHM RQ7G080AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 8 A 1.5 W, 8-Pin RQ7G080ATTCR TSMT