ROHM RQ7G080AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 8 A 1.5 W, 8-Pin RQ7G080ATTCR TSMT

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Herst. Teile-Nr.:
RQ7G080ATTCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TSMT

Serie

RQ7G080AT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

P

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat das TSMT8-Gehäuse. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

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