ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 223-6205
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8JB5TCR
- Marke:
- ROHM
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- 223-6205
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8JB5TCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.41Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.8 mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.41Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.8 mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm-MOSFET für kleines Signal hat den Typ TSMT8. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
Halogenfrei
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