ROHM RQ1 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7 A 1.5 W, 8-Pin TSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 264-798
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ1E070RPHZGTR
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 264-798
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ1E070RPHZGTR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | RQ1 | |
| Gehäusegröße | TSMT-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie RQ1 | ||
Gehäusegröße TSMT-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM Automotive Pch 30V und 7A Small Signal ist ein MOSFET für den DC/DC-Wandler. Es handelt sich um ein hochzuverlässiges Produkt der Automobilklasse, das nach AEC-Q101 qualifiziert ist
Niedriger Einschaltwiderstand
Eingebaute G-S-Schutzdiode
Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse TSMT8
Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform
AEC-Q101-qualifiziert
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