ROHM Doppelt QH8K51 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 2 A 1.5 W, 8-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
172-0345
Herst. Teile-Nr.:
QH8K51TR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TSMT

Serie

QH8K51

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

355mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.1mm

Höhe

0.8mm

Breite

2.5 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der QH8K51 ist ein MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.

Kleines SMD-Gehäuse (TSMT8)

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