Teile-Nr.

ROHM QH8K51 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 2 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8

RS Best.-Nr.:: 172-0345
Herst. Teile-Nr.:: QH8K51TR
Marke:: ROHM

ROHM QH8K51 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 2 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8

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RS Best.-Nr.:: 172-0345
Herst. Teile-Nr.:: QH8K51TR
Marke:: ROHM

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	2 A
	Drain-Source-Spannung max.	100 V
	Serie	QH8K51
	Gehäusegröße	TSMT-8
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	355 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
	Gate-Schwellenspannung min.	1V
	Verlustleistung max.	1,5 W
	Gate-Source Spannung max.	±20 V
	Länge	3.1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Breite	2.5mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	4,7 nC @ 5 V
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Diodendurchschlagsspannung	1.2V
	Höhe	0.8mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 2 A
	Drain-Source-Spannung max. 100 V
	Serie QH8K51
	Gehäusegröße TSMT-8
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 355 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
	Gate-Schwellenspannung min. 1V
	Verlustleistung max. 1,5 W
	Gate-Source Spannung max. ±20 V
	Länge 3.1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Breite 2.5mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 4,7 nC @ 5 V
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Diodendurchschlagsspannung 1.2V
	Höhe 0.8mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Der QH8K51 ist ein MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand für Schaltanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand.

Kleines SMD-Gehäuse (TSMT8)

ROHM QH8K51 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 2 A 1,5 W, 8-Pin TSMT-8

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