ROHM Doppelt QH8K51 N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 2 A 1.5 W, 8-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 172-0345
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8K51TR
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Serie | QH8K51 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 100 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 2 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 1.5 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.2 V | |
| Höhe | 800 μm | |
| Länge | 3.1 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 355 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 4.7 nC | |
| Breite | 2.5 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Serie QH8K51 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 100 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 2 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 1.5 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.2 V | ||
Höhe 800 μm | ||
Länge 3.1 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 355 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 4.7 nC | ||
Breite 2.5 mm | ||
QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application.
Low on - resistance.
Small Surface Mount Package (TSMT8).
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