ROHM Doppelt QH8K51 N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 2 A 1.5 W, 8-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 172-0345
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8K51TR
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Serie | QH8K51 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 355mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Länge | 3.1mm | |
| Breite | 2.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 800μm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Serie QH8K51 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 355mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Länge 3.1mm | ||
Breite 2.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 800μm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application.
Low on - resistance.
Small Surface Mount Package (TSMT8).
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