ROHM P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,5 A, 8-Pin TSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 223-6206
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8JC5TCR
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 223-6206
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- QH8JC5TCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TSMT-8 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,91 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 3,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TSMT-8 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,91 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-3PF-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.
Schnelle Umkehr-Wiederherstellungszeit (trr)
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
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