ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 223-6206
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8JC5TCR
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 60 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 3.5 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 1.5 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | -1.2 V | |
| Höhe | 850 μm | |
| Länge | 3.3 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.91 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 17.3 nC | |
| Breite | 2.8 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 60 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 3.5 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 1.5 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) -1.2 V | ||
Höhe 850 μm | ||
Länge 3.3 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.91 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 17.3 nC | ||
Breite 2.8 mm | ||
The ROHM power MOSFET has TO-3PF package type. It is mainly used for switching.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on-resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
Pb-free plating, RoHS compliant
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