ROHM Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 1 A 1.25 W, 6-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 168-2133
- Herst. Teile-Nr.:
- QS6K1TR
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.8.075
- Versand ab 28. Januar 2027
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 50 | CHF 0.323 | CHF 8.20 |
| 75 - 125 | CHF 0.303 | CHF 7.56 |
| 150 + | CHF 0.263 | CHF 6.67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-2133
- Herst. Teile-Nr.:
- QS6K1TR
- Marke:
- ROHM
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 238mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Breite | 1.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 238mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Breite 1.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Verwandte Links
- ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT
- ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT
- ROHM RQ6E050AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5 A 1.25 W, 6-Pin TSMT-6
- ROHM Doppelt QH8K51 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 2 A 1.5 W, 8-Pin TSMT
- ROHM Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 5 A 1.25 W, 6-Pin TSMT-8
- ROHM Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung, 3-Pin TSMT-3
- ROHM RQ7L055BG Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 10.7 A 81 W TSMT-8
- ROHM RQ6L035AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 3.5 A 1.25 W, 6-Pin TSMT
