ROHM RQ7L055BG Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 10.7 A 81 W TSMT-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
246-3954
Herst. Teile-Nr.:
RQ7L055BGTCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TSMT-8

Serie

RQ7L055BG

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Rohm Nch Leistungs-MOSFET, erhältlich in einem kleinen SMD-Gehäuse und kann in Schaltanwendungen verwendet werden.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines SMD-Gehäuse (TSMT8)

Pb-frei Beschichtung

RoHS-konform

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