ROHM RQ7L055BG Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 10.7 A 81 W TSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 246-3954
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ7L055BGTCR
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 246-3954
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- RQ7L055BGTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TSMT-8 | |
| Serie | RQ7L055BG | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TSMT-8 | ||
Serie RQ7L055BG | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Rohm Nch Leistungs-MOSFET, erhältlich in einem kleinen SMD-Gehäuse und kann in Schaltanwendungen verwendet werden.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT8)
Pb-frei Beschichtung
RoHS-konform
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