ROHM RQ7L055BG Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 10.7 A 81 W RQ7L055BGTCR TSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 246-3955
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ7L055BGTCR
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.1.092
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | CHF.1.09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 246-3955
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ7L055BGTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | RQ7L055BG | |
| Gehäusegröße | TSMT-8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie RQ7L055BG | ||
Gehäusegröße TSMT-8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Rohm Nch Leistungs-MOSFET, erhältlich in einem kleinen SMD-Gehäuse und kann in Schaltanwendungen verwendet werden.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines SMD-Gehäuse (TSMT8)
Pb-frei Beschichtung
RoHS-konform
Verwandte Links
- ROHM RQ7L055BG Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 10.7 A 81 W TSMT-8
- ROHM RS1P600BH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 10.7 A 81 W, 8-Pin HSOP-8
- ROHM RS1P600BH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 10.7 A 81 W, 8-Pin RS1P600BHTB1 HSOP-8
- ROHM RQ7G080BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W TSMT-8
- ROHM RQ7G080BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W RQ7G080BGTCR TSMT-8
- ROHM RQ5 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V 1.0 W, 3-Pin RQ5G060BGTCL TSMT-3
- ROHM Einfach Typ P-Kanal 1, SMD MOSFET 20 V Erweiterung, 3-Pin TSMT-3 RTU002P02T106
- ROHM BSS84WAHZG Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 104 W SOT