ROHM RQ7G080BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W TSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 241-2319
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ7G080BGTCR
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 241-2319
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ7G080BGTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TSMT-8 | |
| Serie | RQ7G080BG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TSMT-8 | ||
Serie RQ7G080BG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm RF4G100BG ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und zum Schalten geeignet.
Niedriger Einschaltwiderstand
Kleines SMD-Gehäuse TSMT8
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Verwandte Links
- ROHM RQ7G080BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W TSMT-8
- ROHM RQ7L055BG Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 10.7 A 81 W TSMT-8
- ROHM RF4L Typ N-Kanal MOSFET N 60 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin HUML2020L8
- ROHM RF4G100BG Typ N-Kanal MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin HUML2020L8
- ROHM RYM002N05 Typ N-Kanal MOSFET N 0.9 V / 10.3 A 104 W ESM
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 81 W, 4-Pin LFPAK88
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 81 W, 4-Pin LFPAK56E
- ROHM RQ5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V 1 W, 3-Pin TSMT-3