ROHM RF4G100BG Typ N-Kanal MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin HUML2020L8

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RS Best.-Nr.:
241-2262
Herst. Teile-Nr.:
RF4G100BGTCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

HUML2020L8

Serie

RF4G100BG

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.6nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm RF4G100BG ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und zum Schalten geeignet.

Niedriger Einschaltwiderstand

Kleines Spritzgussgehäuse mit hoher Leistung Huml2020L8

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

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