ROHM RF4G100BG Typ N-Kanal MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin HUML2020L8
- RS Best.-Nr.:
- 241-2263
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4G100BGTCR
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.10.19
Auf Lager
- 30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.019 | CHF.10.16 |
| 50 - 90 | CHF.0.998 | CHF.9.95 |
| 100 - 240 | CHF.0.798 | CHF.7.95 |
| 250 - 990 | CHF.0.777 | CHF.7.77 |
| 1000 + | CHF.0.704 | CHF.7.01 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-2263
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4G100BGTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | HUML2020L8 | |
| Serie | RF4G100BG | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße HUML2020L8 | ||
Serie RF4G100BG | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm RF4G100BG ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und zum Schalten geeignet.
Niedriger Einschaltwiderstand
Kleines Spritzgussgehäuse mit hoher Leistung Huml2020L8
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei
Verwandte Links
- ROHM RF4G100BG Typ N-Kanal MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin HUML2020L8
- ROHM RF4L Typ N-Kanal MOSFET N 60 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin RF4L070BGTCR HUML2020L8
- ROHM RQ7G080BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W TSMT-8
- ROHM RQ7G080BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W RQ7G080BGTCR TSMT-8
- ROHM Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 4 A 2 W HUML2020L8 UT6MA2TCR
- ROHM RYM002N05 Typ N-Kanal MOSFET N 0.9 V / 10.3 A 104 W ESM
- ROHM RYM002N05 Typ N-Kanal MOSFET N 0.9 V / 10.3 A 104 W RYM002N05T2CL ESM
- ROHM UT6 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 2 W, 8-Pin HUML2020L8 UT6KE5TCR