ROHM RF4P060BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6 A 2 W, 8-Pin HUML2020L8
- RS Best.-Nr.:
- 266-3857
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4P060BGTCR
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.3.05
Auf Lager
- Zusätzlich 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 21. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.305 | CHF.3.09 |
| 50 - 90 | CHF.0.305 | CHF.3.02 |
| 100 - 240 | CHF.0.242 | CHF.2.37 |
| 250 - 990 | CHF.0.231 | CHF.2.32 |
| 1000 + | CHF.0.179 | CHF.1.82 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 266-3857
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4P060BGTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | HUML2020L8 | |
| Serie | RF4P060BG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 53mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße HUML2020L8 | ||
Serie RF4P060BG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 53mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM mit niedrigem Einschaltwiderstand und kleinem Hochleistungs-Formgehäuse, geeignet für das Schalten.
Bleifreie Beschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei
Verwandte Links
- ROHM RF4P060BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6 A 2 W, 8-Pin HUML2020L8
- ROHM UT6 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 2 W, 8-Pin HUML2020L8 UT6KE5TCR
- ROHM UT6 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 2 W, 8-Pin HUML2020L8 UT6ME5TCR
- ROHM RF4G100BG Typ N-Kanal MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin HUML2020L8
- ROHM RF4G100BG Typ N-Kanal MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin RF4G100BGTCR HUML2020L8
- ROHM RF4L Typ N-Kanal MOSFET N 60 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin RF4L070BGTCR HUML2020L8
- ROHM Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 4 A 2 W HUML2020L8 UT6MA2TCR
- ROHM Pch+Pch UT6 Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 1 A 2 W, 8-Pin HUML2020L8 UT6JE5TCR