ROHM Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 4 A 2 W HUML2020L8
- RS Best.-Nr.:
- 244-0139
- Herst. Teile-Nr.:
- UT6MA2TCR
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | HUML2020L8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße HUML2020L8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm MOSFET ist ein kleines SMD-Gehäuse, das für Schaltanwendungen geeignet ist. Er hat einen Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 155 °C und wird mit einer Packung mit 3000 Einheiten geliefert.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
Halogenfrei
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