ROHM Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 4 A 2 W HUML2020L8
- RS Best.-Nr.:
- 244-0138
- Herst. Teile-Nr.:
- UT6MA2TCR
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 30 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 4 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 2 W | |
| Gehäusegröße | HUML2020L8 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.2 V | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 70 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 4.3 nC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 30 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 4 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 2 W | ||
Gehäusegröße HUML2020L8 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.2 V | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 70 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 4.3 nC | ||
The Rohm MOSFET is small surface mount package which is suitable for switching application. It has storage temperature range of -55°C to 155°C and it comes with pack of 3000 units.
Low on-resistance
Small Surface Mount Package
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Halogen Free
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