ROHM UT6 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 2 W, 8-Pin HUML2020L8

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264-564
Herst. Teile-Nr.:
UT6KE5TCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HUML2020L8

Serie

UT6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

207mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 100V 2,0A Dual-N-Kanal-Leistungs-MOSFET im DFN2020-8D-Gehäuse zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus und ist damit ideal für Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler. Er integriert zwei 100-V-MOSFETs in einem kompakten oberflächenmontierten Design.

Niedriger Einschaltwiderstand

Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

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