ROHM RF4L N-Kanal, SMD MOSFET N 60 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin HUML2020L8
- RS Best.-Nr.:
- 241-2265
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4L070BGTCR
- Marke:
- ROHM
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- 241-2265
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4L070BGTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | HUML2020L8 | |
| Serie | RF4L | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße HUML2020L8 | ||
Serie RF4L | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
ROHM RF4G100BG is a power MOSFET with low on resistance and suitable for switching.
Low on resistance
High Power small mould PackageHUML2020L8
Pb free plating RoHS compliant
Halogen Free
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