ROHM RYM002N05 Typ N-Kanal MOSFET N 0.9 V / 10.3 A 104 W ESM

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RS Best.-Nr.:
244-0122
Herst. Teile-Nr.:
RYM002N05T2CL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

0.9V

Gehäusegröße

ESM

Serie

RYM002N05

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Rohm MOSFETs werden als extrem niedriger Einschaltwiderstand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt, die für mobile Geräte mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. In einer breiten Palette von kompakten Typen, Hochleistungsausführungen und komplexen Typen, um den Anforderungen des Marktes gerecht zu werden, und er wird mit einer Packung von 8000 Einheiten geliefert.

Niederspannungs-(0,9 V)-Antriebstyp

N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

Kleines SMD-Gehäuse

Bleifrei/RoHS-konform

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