ROHM RYM002N05 Typ N-Kanal MOSFET N 0.9 V / 10.3 A 104 W ESM
- RS Best.-Nr.:
- 244-0122
- Herst. Teile-Nr.:
- RYM002N05T2CL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 8000 Stück)*
CHF.504.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 8000 + | CHF.0.063 | CHF.462.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-0122
- Herst. Teile-Nr.:
- RYM002N05T2CL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 0.9V | |
| Serie | RYM002N05 | |
| Gehäusegröße | ESM | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 0.9V | ||
Serie RYM002N05 | ||
Gehäusegröße ESM | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Rohm MOSFETs werden als extrem niedriger Einschaltwiderstand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt, die für mobile Geräte mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. In einer breiten Palette von kompakten Typen, Hochleistungsausführungen und komplexen Typen, um den Anforderungen des Marktes gerecht zu werden, und er wird mit einer Packung von 8000 Einheiten geliefert.
Niederspannungs-(0,9 V)-Antriebstyp
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei/RoHS-konform
Verwandte Links
- ROHM RYM002N05 Typ N-Kanal MOSFET N 0.9 V / 10.3 A 104 W RYM002N05T2CL ESM
- ROHM RV1C002UN Typ N-Kanal MOSFET N 1.2 V / 10.3 A 104 W, 3-Pin DFN0806-3
- ROHM RV1C002UN Typ N-Kanal MOSFET N 1.2 V / 10.3 A 104 W, 3-Pin RV1C002UNT2CL DFN0806-3
- ROHM RF4G100BG Typ N-Kanal MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin HUML2020L8
- ROHM RQ7G080BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W TSMT-8
- ROHM RF4G100BG Typ N-Kanal MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin RF4G100BGTCR HUML2020L8
- ROHM RF4L Typ N-Kanal MOSFET N 60 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin RF4L070BGTCR HUML2020L8
- ROHM RQ7G080BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 10.3 A 81 W RQ7G080BGTCR TSMT-8