ROHM RV1C002UN Typ N-Kanal MOSFET N 1.2 V / 10.3 A 104 W, 3-Pin DFN0806-3
- RS Best.-Nr.:
- 244-0121
- Herst. Teile-Nr.:
- RV1C002UNT2CL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.3.425
Nur noch Restbestände
- Letzte 1’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.137 | CHF.3.44 |
| 50 - 475 | CHF.0.137 | CHF.3.38 |
| 500 - 975 | CHF.0.116 | CHF.2.78 |
| 1000 - 2475 | CHF.0.063 | CHF.1.52 |
| 2500 + | CHF.0.063 | CHF.1.47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-0121
- Herst. Teile-Nr.:
- RV1C002UNT2CL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2V | |
| Gehäusegröße | DFN0806-3 | |
| Serie | RV1C002UN | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2V | ||
Gehäusegröße DFN0806-3 | ||
Serie RV1C002UN | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-free lead plating | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm MOSFET verfügt über eine integrierte ESD-Schutzdiode und wird mit einem extrem kleinen VML0806-Gehäuse geliefert. Er hat einen Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 155 °C und ist für allgemeine Gleichrichtung geeignet.
Niederspannungsantrieb (1,2 V)
Das ultrakleine Gehäuse (Größe 0806)
Für ParTable Geräte.
Einfache Antriebskreise möglich
Integrierte ESD-Schutzdiode.
Verwandte Links
- ROHM RV1C002UN Typ N-Kanal MOSFET N 1.2 V / 10.3 A 104 W, 3-Pin DFN0806-3
- ROHM RYM002N05 Typ N-Kanal MOSFET N 0.9 V / 10.3 A 104 W ESM
- ROHM RYM002N05 Typ N-Kanal MOSFET N 0.9 V / 10.3 A 104 W RYM002N05T2CL ESM
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.37 W X2-DFN0806-6
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.37 W X2-DFN0806-6 DMN31D5UDAQ-7B
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V 0.35 W X2-DFN0806-6
- DiodesZetex Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.37 W X2-DFN0806-6