ROHM RF4L N-Kanal, SMD MOSFET N 60 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin HUML2020L8
- RS Best.-Nr.:
- 241-2264
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4L070BGTCR
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Serie | RF4L | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | SMD | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Channel-Modus | N | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 60 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 10.3 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 81 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | HUML2020L8 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.2 V | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 2.7 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 7.6 nC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Serie RF4L | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart SMD | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Channel-Modus N | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 60 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 10.3 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 81 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße HUML2020L8 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.2 V | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 2.7 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 7.6 nC | ||
ROHM RF4G100BG is a power MOSFET with low on resistance and suitable for switching.
Low on resistance
High Power small mould PackageHUML2020L8
Pb free plating RoHS compliant
Halogen Free
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