ROHM RQ6E050AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5 A 1.25 W, 6-Pin TSMT-6
- RS Best.-Nr.:
- 124-6805
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ6E050ATTCR
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
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- RQ6E050ATTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSMT-6 | |
| Serie | RQ6E050AT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 38mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 18V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 1.8mm | |
| Länge | 3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSMT-6 | ||
Serie RQ6E050AT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 38mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 18V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.95mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 1.8mm | ||
Länge 3mm | ||
- Ursprungsland:
- TH
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
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