ROHM RTR020P02 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2 A 1 W, 3-Pin RQ5C020TPTL TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 124-6830
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5C020TPTL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.10.775
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.431 | CHF.10.84 |
| 125 - 225 | CHF.0.263 | CHF.6.49 |
| 250 - 600 | CHF.0.242 | CHF.6.09 |
| 625 - 1225 | CHF.0.242 | CHF.6.04 |
| 1250 + | CHF.0.242 | CHF.5.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-6830
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5C020TPTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Serie | RTR020P02 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Serie RTR020P02 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.6 mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Verwandte Links
- ROHM RQ5C035BC P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
- ROHM RRR040P03 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
- ROHM RQ5H020SP P-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 2 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
- ROHM P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 250 mA 200 mW, 3-Pin TSMT-3
- ROHM RQ6E050AT P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6
- ROHM RQ5H030TN N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 3 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
- ROHM RQ5E025SN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
- ROHM RQ5E035BN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
