ROHM QH8KB6 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 8 A 1.5 W, 8-Pin TSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 235-2665
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8KB6TCR
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | QH8KB6 | |
| Gehäusegröße | TSMT-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.1mm | |
| Höhe | 2.9mm | |
| Breite | 850μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie QH8KB6 | ||
Gehäusegröße TSMT-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.1mm | ||
Höhe 2.9mm | ||
Breite 850μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
The ROHM dual N channel MOSFET which supports 40V withstand voltage. This is designed for 24V input equipment's such as factory automation equipment's, and motors mounted on base stations. This product consists of a low on-resistance N channel MOSFET which is reduced 58%. This contributes to low power consumption of various devices.
Small surface mount package
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen Free
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