ROHM QH8KC6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 5.5 A 1.5 W, 8-Pin QH8KC6TCR TSMT-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.6.62

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 20 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40CHF.0.662CHF.6.66
50 - 90CHF.0.651CHF.6.51
100 - 240CHF.0.525CHF.5.28
250 - 990CHF.0.515CHF.5.11
1000 +CHF.0.504CHF.5.03

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
235-2670
Herst. Teile-Nr.:
QH8KC6TCR
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

QH8KC6

Gehäusegröße

TSMT-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.9mm

Breite

0.85 mm

Länge

3.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Dual N-Kanal-MOSFET unterstützt 60 V Spannungsfestigkeit. Dies ist für 24-V-Eingangsgeräte wie Fabrikautomationsgeräte und Motoren an Basisstationen ausgelegt. Dieses Produkt besteht aus einem N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand, der um 58 % reduziert wird. Dies trägt zu einem geringen Stromverbrauch verschiedener Geräte bei.

Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse

Bleifreie Leitungsbeschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei

Verwandte Links