ROHM QH8KC6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 5.5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT-8

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RS Best.-Nr.:
235-2669
Herst. Teile-Nr.:
QH8KC6TCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSMT-8

Serie

QH8KC6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.85 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.9mm

Länge

3.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Dual N-Kanal-MOSFET unterstützt 60 V Spannungsfestigkeit. Dies ist für 24-V-Eingangsgeräte wie Fabrikautomationsgeräte und Motoren an Basisstationen ausgelegt. Dieses Produkt besteht aus einem N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand, der um 58 % reduziert wird. Dies trägt zu einem geringen Stromverbrauch verschiedener Geräte bei.

Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse

Bleifreie Leitungsbeschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei

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