ROHM RQ7L050AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 5 A 1.5 W, 8-Pin RQ7L050ATTCR TSMT

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Herst. Teile-Nr.:
RQ7L050ATTCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSMT

Serie

RQ7L050AT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

390mΩ

Channel-Modus

P

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET Rohm für kleine Signale hat den Typ TSMT8. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

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