ROHM QH8KB5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 4.5 A 1.1 W, 8-Pin TSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 235-2664
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8KB5TCR
- Marke:
- ROHM
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.599 | CHF.15.02 |
| 50 - 75 | CHF.0.588 | CHF.14.75 |
| 100 - 225 | CHF.0.578 | CHF.14.54 |
| 250 - 975 | CHF.0.567 | CHF.14.20 |
| 1000 + | CHF.0.42 | CHF.10.58 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-2664
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8KB5TCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TSMT-8 | |
| Serie | QH8KB5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 0.85 mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Höhe | 2.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TSMT-8 | ||
Serie QH8KB5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 0.85 mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Höhe 2.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm Dual N-Kanal-MOSFET unterstützt 40 V Spannungsfestigkeit. Dies ist für 24-V-Eingangsgeräte wie Fabrikautomationsgeräte und Motoren an Basisstationen ausgelegt. Dieses Produkt besteht aus einem N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand, der um 58 % reduziert wird. Dies trägt zu einem geringen Stromverbrauch verschiedener Geräte bei.
Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei
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