Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 42 A, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 273-2634
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC155N06NDATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.5.515
Auf Lager
- 90 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.103 | CHF.5.49 |
| 50 - 495 | CHF.0.998 | CHF.5.01 |
| 500 - 995 | CHF.0.788 | CHF.3.92 |
| 1000 - 2495 | CHF.0.767 | CHF.3.84 |
| 2500 + | CHF.0.756 | CHF.3.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2634
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC155N06NDATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | BSC | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 6.35mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 5.35 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie BSC | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 6.35mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 5.35 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon ist ein 60-V-Doppel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET ist 100 % gegen Lawinendurchbruch getestet. Es ist gemäß JEDEC vollständig für industrielle Anwendungen qualifiziert und für die Technologie in Antriebsanwendungen optimiert.
Halogenfrei
Schnelles Schalten
RoHS-konform
Hervorragende Wärmebeständigkeit
Verwandte Links
- Infineon FZ1000 Dual N-Kanal, Schraub MOSFET Einschub
- Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 42 A, 8-Pin Herr TDSON
- Infineon XHP Dual N-Kanal Dual, Schraub MOSFET 1700 V / 1,8 kA Einschub
- Infineon XHP Dual N-Kanal Dual, Schraub MOSFET 3300 V / 925 A Einschub
- Infineon XHP Dual N-Kanal Dual, Schraub MOSFET 3300 V / 720 A Einschub
- Infineon XHP Dual N-Kanal Dual, Schraub MOSFET 1700 V / 1,2 kA Einschub
- Infineon Dual N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 17 A PG-TISON-8
- Infineon Dual N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 18 A PG-TISON-8
