Infineon SPD18P06P G Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -18.6 A 80 W, 3-Pin PG-TO252-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-2831
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD18P06PGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.1’235.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.494 | CHF.1’236.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2831
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD18P06PGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -18.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SPD18P06P G | |
| Gehäusegröße | PG-TO252-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 80W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.33V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 40 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | |
| Länge | 40mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -18.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SPD18P06P G | ||
Gehäusegröße PG-TO252-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 80W | ||
Durchlassspannung Vf 1.33V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 40 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | ||
Länge 40mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus. Die Betriebstemperatur liegt bei 175 Grad Celsius. Dieser MOSFET ist gemäß der Norm AEC Q101 qualifiziert.
RoHS-konform
Auf Lawinendurchbruch getestet
Bleifreie Beschichtung
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