Infineon OptiMOSa5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 188 W, 3-Pin PG-TO220-3

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RS Best.-Nr.:
273-3018
Herst. Teile-Nr.:
IPP039N10N5AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOSa5

Gehäusegröße

PG-TO220-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

76nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon in einem TO-220-Gehäuse ist ideal für Hochfrequenzschalt- und synchronen Gleichrichteranwendungen.

Höchste Systemeffizienz

Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste

Weniger Parallelen erforderlich

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