Infineon OptiMOSa5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 188 W, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-3018
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP039N10N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.3.15 | CHF.6.30 |
| 10 - 18 | CHF.2.867 | CHF.5.73 |
| 20 - 24 | CHF.2.814 | CHF.5.62 |
| 26 - 48 | CHF.2.625 | CHF.5.25 |
| 50 + | CHF.2.415 | CHF.4.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-3018
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP039N10N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOSa5 | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOSa5 | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon in einem TO-220-Gehäuse ist ideal für Hochfrequenzschalt- und synchronen Gleichrichteranwendungen.
Höchste Systemeffizienz
Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
Weniger Parallelen erforderlich
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