Infineon IPP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 70 A 390 W, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 349-001
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R037CM8XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 349-001
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R037CM8XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 37mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 390W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Serie IPP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 390W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der IPP-Serie von Infineon, 600 V Drain-Source-Spannung, 70 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPP60R037CM8XKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Umgebungen mit Leistungsumwandlung entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem PG-TO220-3-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, wodurch er sich für robuste Leiterplattenmontageanwendungen eignet, bei denen ein Wärmemanagement und eine zuverlässige Schaltung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Nenn-Drainage-Spannung für Hochspannungsschaltung
• 70 A kontinuierlicher Ablassstrom für den Umgang mit starken Strömen
• Niedrige Rds(on) von 37 mΩ zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• 390 W Verlustleistung für dauerhafte Leistungsanwendungen
• Gate-Ladung von 79 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• 70 A kontinuierlicher Ablassstrom für den Umgang mit starken Strömen
• Niedrige Rds(on) von 37 mΩ zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• 390 W Verlustleistung für dauerhafte Leistungsanwendungen
• Gate-Ladung von 79 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Stromversorgungen und Wandlerstufen
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltkreise
• Verwendung mit Hochspannungswechselrichterbaugruppen
• Kann für Hochstrom-Schaltnetzteile verwendet werden
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltkreise
• Verwendung mit Hochspannungswechselrichterbaugruppen
• Kann für Hochstrom-Schaltnetzteile verwendet werden
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte muss ich beachten, um das Gerät zu schützen?
Die Gate-to-Source-Nennspannung ermöglicht bis zu 30 V
Designs sollten Gate-Antriebe und Schutzvorrichtungen enthalten, die die Vgs innerhalb dieser Grenze halten, um Schäden zu vermeiden.
Wie bewältigt das Gerät extreme Umgebungstemperaturen während des Betriebs?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl unter Kaltstartbedingungen als auch in Schaltschränken mit erhöhter Temperatur mit entsprechendem thermischem Design.
Welche Verpackungs- und Montageaspekte beeinflussen die thermische Leistung?
Das Durchsteckformat PG-TO220-3 ermöglicht die direkte Befestigung des Kühlkörpers und das Durchstecklöten für eine robuste Wärmeleitung und mechanische Stabilität.
Wie verhält sich das Gerät in Bezug auf den Kanalleitungsmodus?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät mit Enhancement-Modus, das einen positiven Gate-Antrieb in Bezug auf die Quelle erfordert, um in die Leitfähigkeit umzuschalten.
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