Infineon IPP65R190CFD7A Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 77 W, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-3021
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R190CFD7AAKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-3021
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R190CFD7AAKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | IPP65R190CFD7A | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 77W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AECQ101, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie IPP65R190CFD7A | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 77W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AECQ101, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon 650-V-Kühl-MOS-N-Kanal-Kfz-SJ-Leistungs-MOSFET. Er verfügt über die höchste Zuverlässigkeit im Feld, um die Anforderungen an die Lebensdauer in der Automobilindustrie zu erfüllen.
Ermöglichung von Designs mit höherer Leistungsdichte
Granular-Portfolio erhältlich
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