Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 98 A 158 W, 3-Pin IPP073N13NM6AKSA1
- RS Best.-Nr.:
- 349-117
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP073N13NM6AKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 349-117
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP073N13NM6AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 98A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Serie | IPP | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 158W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 98A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Serie IPP | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 158W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 200 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für einen hohen Wirkungsgrad in Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Die wichtigsten Merkmale umfassen einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), der Leitungsverluste minimiert, und ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) für eine hervorragende Schaltleistung. Außerdem zeichnet er sich durch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) aus, was den Wirkungsgrad erhöht und die Schaltverluste verringert. Das Gerät ist mit einem hohen Avalanche-Energiewert ausgestattet, wodurch es für anspruchsvolle Bedingungen geeignet ist, und kann bei einer hohen Temperatur von 175°C betrieben werden, wodurch die Zuverlässigkeit auch in rauen Umgebungen gewährleistet ist.
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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