Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 200 V / 39 A 125 W, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 349-118
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP339N20NM6AKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 349-118
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP339N20NM6AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 39A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 39A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Serie IPP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der OptiMOS 6 Leistungstransistor von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der geringere Leitungsverluste gewährleistet. Der MOSFET verfügt außerdem über ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) für eine hervorragende Schaltleistung und eine sehr niedrige Rückstromladung (Qrr) für einen effizienten Betrieb. Er ist zu 100 % Avalanche-getestet, was seine Robustheit gewährleistet, und kann bei einer hohen Temperatur von 175 °C betrieben werden, wodurch er auch in anspruchsvollen Umgebungen zuverlässig arbeitet.
Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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