Infineon IPP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 36.23 A 171 W, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 273-3020
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
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| 25 - 49 | CHF.5.19 |
| 50 - 99 | CHF.4.79 |
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- RS Best.-Nr.:
- 273-3020
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R060CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36.23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Serie | IPP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 171W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36.23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Serie IPP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 171W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Der Infineon 650 V Cool MOS CFD7 Super Junction MOSFET in einem TO-220-Gehäuse ist ideal für Resonanztopologien in industriellen Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen geeignet, in denen er eine erhebliche Effizienzverbesserung ermöglicht
Ausgezeichnete Robustheit bei harter Umschaltung
Zusätzlicher Sicherheitsabstand für Designs mit erhöhter Busspannung
Erhöhte Leistungsdichte ermöglicht
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