STMicroelectronics STW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung / 92 A 463 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 275-1386
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA65N023M9
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 275-1386
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA65N023M9
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 92A | |
| Serie | STW | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 230nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 463W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 92A | ||
Serie STW | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 230nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 463W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction MDmesh M9-Technologie, die für Mittel- oder Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Bereich geeignet ist. Die M9-Technologie auf Siliziumbasis profitiert von einem Multi-Drain-Fertigungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht. Das resultierende Produkt verfügt über einen der niedrigsten Widerstände beim Einschalten und reduzierte Gate-Ladungswerte unter allen Silizium-basierten MOSFETs mit schneller Schaltfunktion, womit es besonders für Anwendungen geeignet ist, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.
Ausgezeichnete Schaltleistung
Einfach zu steuern
100 % Lawinengeprüft
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