STMicroelectronics STW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 55 A 320 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 240-0613
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA32N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 30 + | CHF.4.725 | CHF.141.69 |
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- RS Best.-Nr.:
- 240-0613
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA32N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | STW | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 320W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 15.8 mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 40.92mm | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie STW | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 320W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 15.8 mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 40.92mm | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Schnell-Erholdioden-Serie. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert DM6 sehr niedrige Erholladung (Qrr), Erholzeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung der RDS(on) pro Bereich mit einer der größten effektive Schaltverhalten auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.
AEC-Q101-zertifiziert
Gehäusediode mit schneller Wiederherstellung
Niedrigerer RDS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100 % Avalanche-getestet
Äußerst dv/dt-unempfindlich
Zener-geschützt
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