STMicroelectronics STW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 55 A 480 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 240-0616
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA75N65DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.12.989
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.12.99 |
| 5 - 9 | CHF.12.34 |
| 10 - 24 | CHF.11.11 |
| 25 - 49 | CHF.10.01 |
| 50 + | CHF.9.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 240-0616
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA75N65DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | STW | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 480W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie STW | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 480W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Schnell-Erholdioden-Serie. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert DM6 sehr niedrige Erholladung (Qrr), Erholzeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung der RDS(on) pro Bereich mit einer der größten effektive Schaltverhalten auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.
Schnelle Gehäusediode
Niedriger RDS(on) pro Fläche im Vergleich zu vorheriger Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100 % Avalanche geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zener-geschützt
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