Vishay SISH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 54 A 41.6 W, 8-Pin 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9980
- Herst. Teile-Nr.:
- SISH103DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.939.00
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.313 | CHF.939.30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9980
- Herst. Teile-Nr.:
- SISH103DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 54A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | 1212-8 | |
| Serie | SISH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0089Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 72nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 41.6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 54A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße 1212-8 | ||
Serie SISH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0089Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 41.6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil
Verwandte Links
- Vishay SISH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 54 A 41.6 W, 8-Pin 1212-8
- Vishay SISH Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 34.4 A 26.5 W, 8-Pin 1212-8
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.7 A 3.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay SIR4406DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 78 A 41.6 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay Si7615ADN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay SIS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 19.8 W, 8-Pin 1212-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSH101DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212