Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 36 A 19.8 W, 8-Pin SISS4410DN-T1-GE3 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9990
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS4410DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.7.88
Auf Lager
- Zusätzlich 5’960 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.788 | CHF.7.85 |
| 50 - 90 | CHF.0.588 | CHF.5.90 |
| 100 - 240 | CHF.0.525 | CHF.5.24 |
| 250 - 990 | CHF.0.515 | CHF.5.12 |
| 1000 + | CHF.0.504 | CHF.5.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9990
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS4410DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SISS | |
| Gehäusegröße | 1212-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.009Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19.8W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SISS | ||
Gehäusegröße 1212-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.009Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19.8W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Vollständig bleifreies Bauteil
Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl
100 Prozent Rg und UIS getestet
Verwandte Links
- Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 36 A 19.8 W, 8-Pin SISS4410DN-T1-GE3 1212-8
- Vishay SIS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 19.8 W, 8-Pin SIS4634LDN-T1-GE3 1212-8
- Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 66.6 A 65.7 W, 8-Pin SISS5808DN-T1-GE3 1212-8S
- Vishay SISS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 59.2 A 56.8 W, 8-Pin SISS4409DN-T1-GE3 1212-8S
- Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 128 A 65.7 W, 8-Pin SISS4402DN-T1-GE3 1212-8S
- Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40.7 A 52 W, 8-Pin SISS5112DN-T1-GE3 1212-8S
- Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 55.9 A 65.7 W, 8-Pin SISS5108DN-T1-GE3 1212-8S
- Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 55.9 A 56.8 W, 8-Pin SISS5110DN-T1-GE3 1212-8S