Vishay SQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 280-0011
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2348CES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.9.10
Auf Lager
- 675 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.364 | CHF.9.07 |
| 50 - 75 | CHF.0.354 | CHF.8.87 |
| 100 - 225 | CHF.0.323 | CHF.8.08 |
| 250 - 975 | CHF.0.313 | CHF.7.88 |
| 1000 + | CHF.0.313 | CHF.7.76 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 280-0011
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2348CES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SQ | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.042Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.81V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SQ | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.042Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.81V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
VISHAYs Automotive MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
AEC-Q101-qualifiziert
Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil
Verwandte Links
- Vishay SQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 3 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 2.8 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.2 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -150 V / -0.84 A 3 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 20 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ2318BES Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 8 A 3 W, 3-Pin SOT-23